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新品 | 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET ~实现业界超低导通电阻和超宽SOA规模~

2025-05-09 12:00

新品 | 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET

~实现业界超低导通电阻和超宽SOA规模~

     全球着名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都会)面向企业级高性能服务器和AI服务器电源,,, ,,开发出实现了业界超低导通电阻*1和超宽SOA规模*2的Nch功率MOSFET*3。 。。 。。

     新产品共3款机型,,, ,,包括很是适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔控制器(HSC)*4电路的“RS7E200BG”(30V),,, ,,以及很是适用于AI服务器48V系统电源的AC-DC转换电路二次侧的“RS7N200BH(80V)”和“RS7N160BH(80V)”。 。。 。。

     随着高级数据处置惩罚手艺的前进和数字化转型的加速,,, ,,对支持数据中心的服务器的需求一直增添。 。。 。。别的,,, ,,对具有高级盘算能力的AI处置惩罚服务器的需求也呈增添趋势,,, ,,预计未来将会一连增添。 。。 。。由于这些服务器需要24小时不中止运转(始终通电),,, ,,因此电源单位中使用的多个MOSFET的导通电阻造成的导通消耗,,, ,,会对系统整体性能和能效爆发很大影响。 。。 。。

 

     特殊是在AC-DC转换电路中,,, ,,其导通消耗占较量高,,, ,,因此需要使用导通电阻低的MOSFET。 。。 。。另外,,, ,,服务器配备了热插拔功效,,, ,,可以在通电状态下替换和维护内部的板卡和存储装备,,, ,,在替换等情形下,,, ,,服务器内部会爆发较大的浪涌电流*5。 。。 。。

 

     因此,,, ,,更大的清静事情区规模(宽SOA规模)关于�;; ;; ;;;し衿髂诓亢蚆OSFET而言至关主要。 。。 。。对此,,, ,,ROHM新开发出一种DFN5060-8S封装,,, ,,与以往封装形式相比,,, ,,封装内部的芯片可用面积增添,,, ,,从而开发出实现业界超低导通电阻和宽SOA规模的功率MOSFET。 。。 。。新产品很是有助于提高服务器电源电路的效率和可靠性。 。。 。。

 

     新产品均接纳新开发的DFN5060-8S(5.0mm×6.0mm)封装,,, ,,与以往的HSOP8(5.0mm×6.0mm)封装相比,,, ,,封装内的芯片可用面积增添了约65%。 。。 。。这使得新产品能够以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现业界超低导通电阻,,, ,,30V产品“RS7E200BG”的导通电阻仅为0.53mΩ(Typ.),,, ,,80V产品“RS7N200BH”仅为1.7mΩ(Typ.),,, ,,很是有助于提高服务器电源电路的效率。 。。 。。

 

     另外,,, ,,通过优化封装内部的夹片形状设计,,, ,,提高了散热性能,,, ,,同时提高了有助于确保应用产品可靠性的SOA规模。 。。 。。尤其是30V产品“RS7E200BG”,,, ,,其SOA规模达70A以上(条件:脉冲宽度=1ms、VDS=12V时),,, ,,与以往的HSOP8封装产品相比,,, ,,在相同条件下SOA规模提高了一倍,,, ,,从而以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现了业界超高的SOA规模。 。。 。。

 

     新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产(样品价钱:710日元/个,,, ,,不含税)。 。。 。。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂),,, ,,后道工序的生产基地为OSAT(泰国)。 。。 。。另外,,, ,,新产品已经最先通过电商举行销售,,, ,,通过Oneyac、Sekorm等电商平台均可购置。 。。 。。

 

     ROHM妄想在2025年内逐步实现也支持AI服务器热插拔控制器电路应用的功率MOSFET的量产。 。。 。。未来,,, ,,ROHM将继续扩大相关产品阵容,,, ,,为应用产品的高效运行和可靠性提升孝顺力量。 。。 。。

 

产品阵容

 

审查详情

RS7E200BG

RS7N200BH

RS7N160BH

 

关于EcoMOS?品牌

     EcoMOS?是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌,,, ,,很是适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 。。 。。EcoMOS?产品阵容富厚,,, ,,已被普遍用于家用电器、工业装备和车载等领域。 。。 。。�????突Э善局びτ眯枨�,,, ,,通过噪声性能和开关性能等州参数从产品阵容中选择产品。 。。 。。

?EcoMOS?是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。 。。 。。

 

应用示例

                      ?企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路和HSC电路

                      ?AI(人工智能)服务器48V系统电源的AC-DC转换电路

                      ?工业装备48V系统电源(电扇电机等)

术语解说

*1)导通电阻(RDS(on))

MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。 。。 。。该值越小,,, ,,运行时的消耗(电力消耗)越少。 。。 。。

 

*2)SOA(Safe Operating Area)规模

元器件不损坏且可清静事情的电压和电流规模。 。。 。。凌驾该清静事情区事情可能会导致热失控或损坏,,, ,,特殊是在会爆发浪涌电流和过电流的应用中,,, ,,需要思量SOA规模。 。。 。。

 

*3)功率MOSFET

适用于功率转换和开关应用的一种MOSFET。 。。 。。现在,,, ,,通过给栅极施加相关于源极的正电压而导通的Nch MOSFET是主流产品,,, ,,相比Pch MOSFET,,, ,,具有导通电阻小、效率高的特点。 。。 。。因其可实现低消耗和高速开关而被普遍用于电源电路、电机驱动电路和逆变器等应用。 。。 。。

 

*4)热插拔控制器(HSC:Hot Swap Controller)

可在装备的供电系统运转状态下插入或拆卸元器件的、具有热插拔功效的专用IC(集成电路),,, ,,施展着控制插入元器件时爆发的浪涌电流,,, ,,并�;; ;; ;;;は低澈退骷闹饕饔谩� 。。 。。

 

*5)浪涌电流(Inrush Current)

在电子装备接通电源时,,, ,,瞬间流过的凌驾额定电流值的大电流。 。。 。。因其会给电源电路中的元器件造成负荷,,, ,,以是通过控制浪涌电流,,, ,,可避免装备损坏并提高系统稳固性。 。。 。。

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